制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-323-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:630 mA

Rds On-漏源导通电阻:550 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:600 mV

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:- 1.0 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:300 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.9 mm

长度:2 mm

系列:BSS209

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:1.25 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:870 mS

下降时间:4.6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:7 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:6 ns

典型接通延迟时间:2.6 ns

零件号别名:BSS209PWH6327XTSA1 BSS29PWH6327XT SP000750498

单位重量:5 mg